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NVMD6N04R2G Especificaciones técnicas

MOSFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 38 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins 8
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 8
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID) 4.6A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 1.29W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34m Ω @ 5.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 32V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Feature Standard
Lead Free Lead Free
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Otros incluyen   "NVMD6"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NVMD6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NVMD6N03R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2519
NVMD6N03R2G Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
NVMD6N03R2G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NVMD6N04 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2532
NVMD6N04R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2700
NVMD6P02R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2721
NVMD6P02R2G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs

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