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NVMD6P02R2G
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NVMD6P02R2G Especificaciones técnicas
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | - |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 16V |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Power - Max | 750mW |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A |
NVMD6P02R2G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NVMD6P02R2G
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Hojas de datos
Otros incluyen "NVMD6" partes
Las siguientes partes incluyen 'NVMD6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NVMD6N03R2G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2519 |
NVMD6N03R2G | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores MOSFETs | |
NVMD6N03R2G | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
NVMD6N04 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2532 |
NVMD6N04R2G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2700 |
NVMD6N04R2G | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
NVMD6P02R2G | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs |
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