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NVMD6N04R2G Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 5.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 32V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOIC
Power - Max 1.29W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NVMD6N03R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2519
NVMD6N03R2G Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
NVMD6N03R2G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NVMD6N04 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2532
NVMD6N04R2G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NVMD6P02R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2721
NVMD6P02R2G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs

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