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NVMD6N03R2G Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 1.29W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number NTMD6N03
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32m Ω @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 24V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.032Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature ULTRA LOW ON RESISTANCE
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID) 6A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30A
Avalanche Energy Rating (Eas) 325 mJ
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NVMD6N03R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2519
NVMD6N03R2G Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
NVMD6N04 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2532
NVMD6N04R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2700
NVMD6N04R2G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NVMD6P02R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2721
NVMD6P02R2G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs

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