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MS1004 Especificaciones técnicas

TRANS RF BIPO 270W 20A TO-220AC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 55V
Supplier Device Package M177
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 30MHz
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 330W
Package / Case M177
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 14.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 10A, 6V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MS1000 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MS1001 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2775
MS1001 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MS1001A Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2501
MS1001A Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MS1002 Original CIs Calientes Especializados 11039
MS1003 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2771
MS1003 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MS1004 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MS1004SH ms CIs Calientes Especializados 2694

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