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MS1001 Especificaciones técnicas
TRANS RF BIPO 270W 20A M174
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 18V |
Supplier Device Package | M174 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 200°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Frequency - Transition | 30MHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 20A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 270W |
Package / Case | M174 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
Gain | 13dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 5V |
MS1001 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MS1001
-
Hojas de datos
MS1001.pdf
Otros incluyen "MS100" partes
Las siguientes partes incluyen 'MS100'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MS1000 | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF | |
MS1001 | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF | |
MS1001A | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2501 |
MS1001A | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF | |
MS1002 | Original | CIs Calientes Especializados | 11039 |
MS1003 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2771 |
MS1003 | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF | |
MS1004 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2604 |
MS1004 | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF | |
MS1004SH | ms | CIs Calientes Especializados | 2694 |
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