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MS1003 Especificaciones técnicas

TRANS RF BIPO 270W 20A TO-220AC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 18V
Supplier Device Package M111
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 136MHz ~ 175MHz
Current - Collector (Ic) (Max) 20A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 270W
Package / Case M111
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 6dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 5A, 5V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MS1000 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MS1001 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2775
MS1001 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MS1001A Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2501
MS1001A Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MS1002 Original CIs Calientes Especializados 11039
MS1003 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MS1004 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2604
MS1004 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MS1004SH ms CIs Calientes Especializados 2694

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