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MMBT3906 Especificaciones técnicas

TRANS PNP 40V 0.2A SOT23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type PNP
Power - Max 350mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
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Otros incluyen   "MMBT3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MMBT3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMBT3055VLT4G ON CIs Calientes Especializados 8000
MMBT3416 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3429
MMBT3416 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 18374
MMBT3416 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MMBT3416 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MMBT3416LT1G ON CIs Calientes Especializados 3413
MMBT3416LT3 M0T CIs Calientes Especializados 10408
MMBT3416LT3 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MMBT3416LT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 9000
MMBT3416LT3G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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