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MMBT3416 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 50V 0.5A SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN
Power - Max 350mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Supplier Device Package SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) -
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  • Hojas de datos

Otros incluyen   "MMBT3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MMBT3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMBT3055VLT4G ON CIs Calientes Especializados 8000
MMBT3416 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 18374
MMBT3416 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MMBT3416 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MMBT3416LT1G ON CIs Calientes Especializados 3413
MMBT3416LT3 M0T CIs Calientes Especializados 10408
MMBT3416LT3 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MMBT3416LT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 9000
MMBT3416LT3G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MMBT35200 ON CIs Calientes Especializados 3200

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