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MMBT3416 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 50V 0.5A SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN
Power - Max 350mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 500mA 350mW Surface Mount SOT-23-3
Current - Collector Cutoff (Max) -
Base Part Number MMBT3416
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Supplier Device Package SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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Otros incluyen   "MMBT3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MMBT3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMBT3055VLT4G ON CIs Calientes Especializados 8000
MMBT3416 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3429
MMBT3416 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MMBT3416 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MMBT3416LT1G ON CIs Calientes Especializados 3413
MMBT3416LT3 M0T CIs Calientes Especializados 10408
MMBT3416LT3 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MMBT3416LT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 9000
MMBT3416LT3G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MMBT35200 ON CIs Calientes Especializados 3200

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