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SH8J66TB1 Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Max Power Dissipation 2W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.5m Ω @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2010
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Base Part Number *J66
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 5V
Continuous Drain Current (ID) 9A
FET Feature Logic Level Gate
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SH8J62 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 321
SH8J62TB ROHM CIs Calientes Especializados 13061
SH8J62TB1 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 35742
SH8J62TB1 ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8J65TB ROHM CIs Calientes Especializados 36227
SH8J65TB MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 594
SH8J65TB1 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 10000
SH8J65TB1 ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8J65TB1 MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 10359
SH8J66TB V CIs Calientes Especializados 10475

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