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SH8J62TB1 Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SOP8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 10V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOP
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A
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Otros incluyen   "SH8J6"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SH8J6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SH8J62 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 321
SH8J62TB ROHM CIs Calientes Especializados 13061
SH8J62TB1 ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8J65TB ROHM CIs Calientes Especializados 36227
SH8J65TB MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 594
SH8J65TB1 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 10000
SH8J65TB1 ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8J65TB1 MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 10359
SH8J66TB V CIs Calientes Especializados 10475
SH8J66TB MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 16344

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