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SH8J65TB1 Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2009
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 2W
Power Dissipation 2W
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 29 mΩ
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SOP
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Base Part Number *J65
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V
Continuous Drain Current (ID) 7A
Input Capacitance 1.2nF
Drain to Source Resistance 31mOhm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SH8J62 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 321
SH8J62TB ROHM CIs Calientes Especializados 13061
SH8J62TB1 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 35742
SH8J62TB1 ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
SH8J65TB ROHM CIs Calientes Especializados 36227
SH8J65TB MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 594
SH8J65TB1 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 10000
SH8J65TB1 MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 10359
SH8J66TB V CIs Calientes Especializados 10475
SH8J66TB MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 16344

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