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RGTH00TS65GC11 Especificaciones técnicas

IGBT 650V 85A 277W TO-247N

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650V
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Turn On Time 102 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Turn Off Time-Nom (toff) 221 ns
Gate Charge 94nC
Td (on/off) @ 25°C 39ns/143ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 38.000013g
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2014
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 277W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 277W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 85A
Collector Emitter Saturation Voltage 1.6V
Test Condition 400V, 50A, 10 Ω, 15V
Continuous Collector Current 50A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
REACH SVHC Unknown
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RGTH00TK65DGC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGTH00TK65GC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGTH00TS65DG C11 IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 732
RGTH00TS65DGC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2657
RGTH00TS65DGC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
RGTH00TS65GC11 LAPIS Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2765

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