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RGTH00TS65DGC11 Especificaciones técnicas

IGBT 650V 85A 277W TO-247N

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy -
Reverse Recovery Time (trr) 54ns
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 94nC
Current - Collector (Ic) (Max) 85A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Td (on/off) @ 25°C 39ns/143ns
Supplier Device Package TO-247N
Power - Max 277W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RGTH00TK65DGC11 ROHM Semiconductor IGBTs individuales
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RGTH00TS65DG C11 IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 732
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