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RGTH00TK65GC11
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RGTH00TK65GC11 Especificaciones técnicas
IGBT
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / IGBTs individuales |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 17 Weeks |
Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2016 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Position | SINGLE |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | ISOLATED |
Power - Max | 72W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Current - Collector (Ic) (Max) | 35A |
Test Condition | 400V, 50A, 10 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 221 ns |
Gate Charge | 94nC |
Td (on/off) @ 25°C | 39ns/143ns |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Configuration | SINGLE |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Turn On Time | 102 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Hojas de datos
Otros incluyen "RGTH0" partes
Las siguientes partes incluyen 'RGTH0'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RGTH00TK65DGC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs individuales | |
RGTH00TS65DG C11 IC | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 732 |
RGTH00TS65DGC11 | LAPIS Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2657 |
RGTH00TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs individuales | |
RGTH00TS65GC11 | LAPIS Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2765 |
RGTH00TS65GC11 | ROHM Semiconductor | IGBTs individuales |
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