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DTA043TUBTL Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 7 Weeks |
Package / Case | SC |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2016 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Polarity | PNP |
Transistor Application | SWITCHING |
Max Collector Current | 100mA |
Max Frequency | 250MHz |
Max Breakdown Voltage | 50V |
hFE Min | 100 |
Continuous Collector Current | -100mA |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Number of Pins | 85 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e1 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | TIN SILVER COPPER |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Max Power Dissipation | 200mW |
Terminal Form | FLAT |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
JESD-30 Code | R-PDSO-F3 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 150mV |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Transition Frequency | 250MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | -5V |
DC Current Gain-Min (hFE) | 100 |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
DTA043TUBTL Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para DTA043TUBTL
-
Hojas de datos
Otros incluyen "DTA04" partes
Las siguientes partes incluyen 'DTA04'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTA043EEB | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 150000 |
DTA043EEBTL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 6264 |
DTA043EEBTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA043EMT2L | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2611 |
DTA043EMT2L | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA043EUB | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 150000 |
DTA043EUBTL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 858 |
DTA043EUBTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA043EUBTL IC | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 800 |
DTA043TEB | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 81425 |
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