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DTA043EEBTL
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DTA043EEBTL Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 4.7k |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SC-89, SOT-490 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Supplier Device Package | EMT3F (SOT-416FL) |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
DTA043EEBTL Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "DTA04" partes
Las siguientes partes incluyen 'DTA04'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTA043EEB | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 150000 |
DTA043EEBTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA043EMT2L | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2611 |
DTA043EMT2L | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA043EUB | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 150000 |
DTA043EUBTL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 858 |
DTA043EUBTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA043EUBTL IC | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 800 |
DTA043TEB | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 81425 |
DTA043TEBTL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 15425 |
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