DTA043EMT2L Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Package / Case SOT-723
Transistor Element Material SILICON
Published 2015
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Terminal Position DUAL
Output Voltage -70mV
Polarity PNP
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 100mA
Max Frequency 250MHz
Max Breakdown Voltage 50V
DC Current Gain-Min (hFE) 20
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form FLAT
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Collector Emitter Voltage (VCEO) 150mV
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 20
Continuous Collector Current -100mA
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTA043EEB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150000
DTA043EEBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 6264
DTA043EEBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA043EMT2L LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2611
DTA043EUB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150000
DTA043EUBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 858
DTA043EUBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA043EUBTL IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 800
DTA043TEB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 81425
DTA043TEBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 15425

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