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NSVMUN5334DW1T1G
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NSVMUN5334DW1T1G Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Base Part Number | MUN53**DW1 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
hFE Min | 80 |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Number of Pins | 6 |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Max Power Dissipation | 250mW |
Pin Count | 6 |
Polarity | NPN, PNP |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22k Ω |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NSVMUN5334DW1T1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NSVMU" partes
Las siguientes partes incluyen 'NSVMU'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSVMUN2112T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2673 |
NSVMUN2112T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
NSVMUN2212T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 3242 |
NSVMUN2212T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
NSVMUN2233T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2772 |
NSVMUN2233T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
NSVMUN2236T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
NSVMUN2237T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 18227 |
NSVMUN2237T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
NSVMUN5111DW1T3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 443211 |
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