NSVMUN2236T1G Especificaciones técnicas

SS SC59 BR XSTR NPN 50V

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Series Automotive, AEC-Q101
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power - Max 230mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Emitter Base (R2) 100 k Ω
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Terminal Finish Tin (Sn)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 100 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSVMUN2112T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2673
NSVMUN2112T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVMUN2212T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3242
NSVMUN2212T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVMUN2233T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2772
NSVMUN2233T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVMUN2237T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 18227
NSVMUN2237T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVMUN5111DW1T3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 443211
NSVMUN5111DW1T3G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT

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