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NSVMUN5111DW1T3G Especificaciones técnicas

TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 250mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSVMUN2112T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2673
NSVMUN2112T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVMUN2212T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3242
NSVMUN2212T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVMUN2233T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2772
NSVMUN2233T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVMUN2236T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVMUN2237T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 18227
NSVMUN2237T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVMUN5111DW1T3G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT

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