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NSVMUN5233DW1T3G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Published 2013
Part Status Active
Max Power Dissipation 250mW
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 250mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Resistor - Base (R1) 4.7k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSVMUN2112T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2673
NSVMUN2112T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVMUN2212T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3242
NSVMUN2212T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVMUN2233T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2772
NSVMUN2233T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVMUN2236T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVMUN2237T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 18227
NSVMUN2237T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSVMUN5111DW1T3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 443211

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