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NSVMUN5113DW1T3G
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NSVMUN5113DW1T3G Especificaciones técnicas
TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 1V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 47k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 250mW |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Power - Max | 250mW |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
Lead Free | Lead Free |
NSVMUN5113DW1T3G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NSVMUN5113DW1T3G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NSVMU" partes
Las siguientes partes incluyen 'NSVMU'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSVMUN2112T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2673 |
NSVMUN2112T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
NSVMUN2212T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 3242 |
NSVMUN2212T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
NSVMUN2233T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2772 |
NSVMUN2233T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
NSVMUN2236T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
NSVMUN2237T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 18227 |
NSVMUN2237T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
NSVMUN5111DW1T3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 443211 |
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