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NSVB143ZPDXV6T1G
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NSVB143ZPDXV6T1G Especificaciones técnicas
TRANS BRT 50V 100MA SOT563
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 17 Weeks |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Number of Pins | 6 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Pin Count | 6 |
Power - Max | 500mW |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 500mW |
Number of Elements | 2 |
Polarity/Channel Type | NPN/PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
hFE Min | 80 |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
Lead Free | Lead Free |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NSVB143ZPDXV6T1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NSVB1" partes
Las siguientes partes incluyen 'NSVB1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSVB114YPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2594 |
NSVB114YPDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVB123JPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2553 |
NSVB123JPDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVB123JPDXV6T1G | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores BJT | |
NSVB124XPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2622 |
NSVB124XPDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVB143TPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2692 |
NSVB143TPDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVB143TPDXV6T1G | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores BJT |
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