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NSVB124XPDXV6T1G Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 500mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package SOT-563
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSVB114YPDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2594
NSVB114YPDXV6T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSVB123JPDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2553
NSVB123JPDXV6T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSVB123JPDXV6T1G Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores BJT
NSVB124XPDXV6T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSVB143TPDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2692
NSVB143TPDXV6T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSVB143TPDXV6T1G Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores BJT
NSVB143ZPDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2520

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