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NSVB114YPDXV6T1G
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NSVB114YPDXV6T1G Especificaciones técnicas
TRANS BRT 50V 100MA SOT563
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Form | FLAT |
JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2014 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 6 |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7 |
Max Power Dissipation | 500mW |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 2 |
Power - Max | 500mW |
Polarity/Channel Type | NPN AND PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 10k Ω |
RoHS Status | RoHS Compliant |
NSVB114YPDXV6T1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NSVB114YPDXV6T1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NSVB1" partes
Las siguientes partes incluyen 'NSVB1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSVB114YPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2594 |
NSVB123JPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2553 |
NSVB123JPDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVB123JPDXV6T1G | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores BJT | |
NSVB124XPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2622 |
NSVB124XPDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVB143TPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2692 |
NSVB143TPDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVB143TPDXV6T1G | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores BJT | |
NSVB143ZPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2520 |
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