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NDD02N60ZT4G Especificaciones técnicas
NDD02N60ZT4G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 4.8Ohm |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Pin Count | 4 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 57W |
Turn On Delay Time | 9 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 Ω @ 1A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 7 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 2.2A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 9A |
Height | 2.38mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Number of Pins | 4 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Powers |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 57W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A Tc |
Rise Time | 7ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 15 ns |
Threshold Voltage | 4.5V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Nominal Vgs | 4.5 V |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
NDD02N60ZT4G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NDD02N60ZT4G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NDD02" partes
Las siguientes partes incluyen 'NDD02'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NDD02N40 | O | CIs Calientes Especializados | 10367 |
NDD02N40 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5522 |
NDD02N40-1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 398 |
NDD02N40-1G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NDD02N40T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2504 |
NDD02N40T4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NDD02N60Z | ON | CIs Calientes Especializados | 22966 |
NDD02N60Z-1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 11022 |
NDD02N60Z-1G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NDD02N60Z-1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3035 |
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