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NDD02N40-1G Especificaciones técnicas
MOSFET NFET DPAK 400V 1.7A 5.5OH
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
Power Dissipation-Max | 39W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 121pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 4 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 1.7A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0055Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 6.9A |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 19 hours ago) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Number of Pins | 4 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2010 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Pin Count | 4 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 39W |
Turn On Delay Time | 5 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 Ω @ 220mA, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A Tc |
Rise Time | 7ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 14 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 400V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
NDD02N40-1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NDD02N40-1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NDD02" partes
Las siguientes partes incluyen 'NDD02'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NDD02N40 | O | CIs Calientes Especializados | 10367 |
NDD02N40 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5522 |
NDD02N40-1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 398 |
NDD02N40T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2504 |
NDD02N40T4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NDD02N60Z | ON | CIs Calientes Especializados | 22966 |
NDD02N60Z-1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 11022 |
NDD02N60Z-1G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NDD02N60Z-1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3035 |
NDD02N60Z-1G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 347 |
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