NDD02N40T4G Especificaciones técnicas

MOSFET NFET DPAK 400V 1.7A 5.5OH

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 121pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 6.9A
Avalanche Energy Rating (Eas) 120 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 19 hours ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 39W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 5 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 Ω @ 220mA, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A Tc
Rise Time 7ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 4 ns
Continuous Drain Current (ID) 1.7A
Drain-source On Resistance-Max 0.0055Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 400V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NDD02N40 O CIs Calientes Especializados 10367
NDD02N40 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5522
NDD02N40-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 398
NDD02N40-1G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NDD02N40T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2504
NDD02N60Z ON CIs Calientes Especializados 22966
NDD02N60Z-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11022
NDD02N60Z-1G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NDD02N60Z-1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3035
NDD02N60Z-1G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 347

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