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MMBT3906TT1G Especificaciones técnicas
MMBT3906TT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | SC-75, SOT-416 |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | -40V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Frequency | 250MHz |
Base Part Number | MMBT3906 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 300mW |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 40V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA 1V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 40V |
Collector Emitter Saturation Voltage | -400mV |
Collector Base Voltage (VCBO) | 40V |
hFE Min | 60 |
Height | 800μm |
Width | 900μm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Cut Tape (CT) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 200mW |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -200mA |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Element Configuration | Single |
Power - Max | 200mW |
Gain Bandwidth Product | 250MHz |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 200mA |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Transition Frequency | 250MHz |
Max Breakdown Voltage | 40V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Turn On Time-Max (ton) | 70ns |
Length | 1.65mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
MMBT3906TT1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MMBT3906TT1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "MMBT3" partes
Las siguientes partes incluyen 'MMBT3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MMBT3055VLT4G | ON | CIs Calientes Especializados | 8000 |
MMBT3416 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 3429 |
MMBT3416 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 18374 |
MMBT3416 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MMBT3416 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
MMBT3416LT1G | ON | CIs Calientes Especializados | 3413 |
MMBT3416LT3 | M0T | CIs Calientes Especializados | 10408 |
MMBT3416LT3 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
MMBT3416LT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 9000 |
MMBT3416LT3G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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