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FGA90N33ATTU Especificaciones técnicas

IGBT 330V 90A 223W TO3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Weight 6.401g
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 223W
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 330V
Collector Emitter Breakdown Voltage 330V
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 330A
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Element Configuration Single
Power - Max 223W
Max Collector Current 90A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 20A
Gate Charge 95nC
Radiation Hardening No
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGA90N30D Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 32363
FGA90N30DTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 32363
FGA90N30DTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 32363
FGA90N30DTU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA90N30DTU Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
FGA90N30TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 32363
FGA90N30TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 32363
FGA90N30TU Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
FGA90N30TU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA90N33 FSC CIs Calientes Especializados 32363

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