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FGA90N30DTU
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FGA90N30DTU Especificaciones técnicas
IGBT 300V 90A 219W TO3P
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Test Condition | - |
Switching Energy | - |
Reverse Recovery Time (trr) | 21ns |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 87nC |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 220A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.4V @ 15V, 20A |
Td (on/off) @ 25°C | - |
Supplier Device Package | TO-3P |
Power - Max | 219W |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
IGBT Type | - |
Detailed Description | IGBT 300V 90A 219W Through Hole TO-3P |
Current - Collector (Ic) (Max) | 90A |
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FGA90N30D | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 32363 |
FGA90N30DTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 32363 |
FGA90N30DTU | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
FGA90N30DTU | Rochester Electronics, LLC | IGBTs individuales | |
FGA90N30TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 32363 |
FGA90N30TU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 32363 |
FGA90N30TU | Rochester Electronics, LLC | IGBTs individuales | |
FGA90N30TU | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
FGA90N33 | FSC | CIs Calientes Especializados | 32363 |
FGA90N33ATD | FSC | CIs Calientes Especializados | 1153 |
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