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FGA90N30DTU Especificaciones técnicas

IGBT 300V 90A 219W TO3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
Test Condition -
Switching Energy -
Reverse Recovery Time (trr) 21ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 87nC
Current - Collector (Ic) (Max) 90A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-3P
Power - Max 219W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 220A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGA90N30D Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 32363
FGA90N30DTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 32363
FGA90N30DTU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA90N30DTU Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
FGA90N30TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 32363
FGA90N30TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 32363
FGA90N30TU Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
FGA90N30TU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA90N33 FSC CIs Calientes Especializados 32363
FGA90N33ATD FSC CIs Calientes Especializados 1153

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