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FGA50N100BNTTU Especificaciones técnicas

IGBT 1000V 50A 156W TO3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Weight 6.401g
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 156W
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1kV
Collector Emitter Breakdown Voltage 1kV
Test Condition 600V, 60A, 10 Ω, 15V
IGBT Type NPT and Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Element Configuration Single
Power - Max 156W
Max Collector Current 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A
Gate Charge 257nC
Td (on/off) @ 25°C 34ns/243ns
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGA5065ADF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 698
FGA5065ADF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 835
FGA5065ADF ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA50N100BNT FSC CIs Calientes Especializados 5716
FGA50N100BNTD FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 5785
FGA50N100BNTD2 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 7842
FGA50N100BNTD2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 7842
FGA50N100BNTD2 ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA50N100BNTDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2770
FGA50N100BNTDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 963

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