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FGA50N100BNTDTU Especificaciones técnicas

IGBT 1000V 50A 156W TO3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Test Condition -
Switching Energy -
Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 275nC
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-3P
Power - Max 156W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type NPT and Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 100A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGA5065ADF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 698
FGA5065ADF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 835
FGA5065ADF ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA50N100BNT FSC CIs Calientes Especializados 5716
FGA50N100BNTD FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 5785
FGA50N100BNTD2 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 7842
FGA50N100BNTD2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 7842
FGA50N100BNTD2 ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA50N100BNTDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2770
FGA50N100BNTDTU ON Semiconductor IGBTs individuales

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