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FGA5065ADF Especificaciones técnicas

IGBT 650V 100A TO-3PN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 50A, 6 Ohm, 15V
Switching Energy 1.35mJ (on), 309µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 31.8ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 72.2nC
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
Td (on/off) @ 25°C 20.8ns/62.4ns
Supplier Device Package TO-3PN
Power - Max 268W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
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Otros incluyen   "FGA50"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGA5065ADF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 835
FGA5065ADF ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA50N100BNT FSC CIs Calientes Especializados 5716
FGA50N100BNTD FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 5785
FGA50N100BNTD2 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 7842
FGA50N100BNTD2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 7842
FGA50N100BNTD2 ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA50N100BNTDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2770
FGA50N100BNTDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 963
FGA50N100BNTDTU ON Semiconductor IGBTs individuales

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