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FDD2670 Especificaciones técnicas
FDD2670 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2016 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 3.6A |
Power Dissipation-Max | 3.2W Ta 70W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130m Ω @ 3.6A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1228pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 25 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 3.6A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Dual Supply Voltage | 200V |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 2 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 200V |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 70mW |
Turn On Delay Time | 13 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A Ta |
Rise Time | 8ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 30 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 375 mJ |
Height | 2.39mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FDD2670 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDD2670
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDD26" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDD26'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDD2612 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 23247 |
FDD2612 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 26933 |
FDD2670 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 38733 |
FDD2670 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2384 |
FDD2670 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 13898 |
FDD2670-NL | F | CIs Calientes Especializados | 37388 |
FDD2670-NL MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5264 |
FDD2670FQD18N20V2STD20 | FAIRCHIL | CIs Calientes Especializados | 15487 |
FDD26AN06 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 32363 |
FDD26AN06A0 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 50529 |
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