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FDD2670 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 3.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDD2670-ND FDD2670TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 20 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1228pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 3.6A (Ta) 3.2W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount TO-252
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDD2612 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23247
FDD2612 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 26933
FDD2670 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2384
FDD2670 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDD2670 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 13898
FDD2670-NL F CIs Calientes Especializados 37388
FDD2670-NL MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5264
FDD2670FQD18N20V2STD20 FAIRCHIL CIs Calientes Especializados 15487
FDD26AN06 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 32363
FDD26AN06A0 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 50529

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