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FDD2670
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FDD2670 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-252 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 3.6A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1228pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 70W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Ta) |
FDD2670 Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "FDD26" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDD26'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDD2612 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 23247 |
FDD2612 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 26933 |
FDD2670 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 38733 |
FDD2670 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDD2670 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 13898 |
FDD2670-NL | F | CIs Calientes Especializados | 37388 |
FDD2670-NL MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5264 |
FDD2670FQD18N20V2STD20 | FAIRCHIL | CIs Calientes Especializados | 15487 |
FDD26AN06 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 32363 |
FDD26AN06A0 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 50529 |
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