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FDB3652 Especificaciones técnicas
FDB3652 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 36 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 16MOhm |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 150W |
Turn On Delay Time | 12 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A Ta 61A Tc |
Rise Time | 85ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 26 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 9A |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 6.35mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 20 hours ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | 100V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 61A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 150W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16m Ω @ 61A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2880pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Fall Time (Typ) | 45 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 61A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Height | 6.35mm |
Width | 6.35mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FDB3652 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDB3652
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDB36" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDB36'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDB3632 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6275 |
FDB3632 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 31051 |
FDB3632 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDB3632 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 802 |
FDB3632-F085 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2663 |
FDB3632-F085 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDB3632-NL | Original | CIs Calientes Especializados | 2504 |
FDB3632_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32730 |
FDB3632_SB82115 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2701 |
FDB3652 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 30512 |
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