FDB3632 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 80A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 80A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDB3632TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 10 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount D²PAK
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDB3632 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6275
FDB3632 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB3632 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 802
FDB3632-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2663
FDB3632-F085 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB3632-NL Original CIs Calientes Especializados 2504
FDB3632_F085 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32730
FDB3632_SB82115 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2701
FDB3652 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 30512
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