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FDB3632-F085 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 310W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Ta
Rise Time 39ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 96 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 310W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9m Ω @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 46 ns
Continuous Drain Current (ID) 12A
Drain-source On Resistance-Max 0.009Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 338 mJ
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDB3632 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6275
FDB3632 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 31051
FDB3632 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDB3632 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 802
FDB3632-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2663
FDB3632-NL Original CIs Calientes Especializados 2504
FDB3632_F085 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32730
FDB3632_SB82115 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2701
FDB3652 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 30512
FDB3652 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 30512

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