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SPD04N60S5 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 200µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 2.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.9nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SPD04N10PG International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 10329
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SPD04N50C3ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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