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SPD04N50C3T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 2.8A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 560V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'SPD04' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SPD04N10PG International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 10329
SPD04N50C3 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 46415
SPD04N50C3 04N50C3 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1290
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SPD04N50C3ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2573
SPD04N50C3ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
SPD04N50C3BTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
SPD04N60C2 INF CIs Calientes Especializados 2447
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