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SPD04N50C3 Especificaciones técnicas

SPD04N50C3 Infineon Technologies

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 2.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 560V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
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SPD04N50C3 Documentos

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Otros incluyen   "SPD04"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SPD04' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SPD04N10PG International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 10329
SPD04N50C3 04N50C3 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1290
SPD04N50C3 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1125
SPD04N50C3ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2573
SPD04N50C3ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
SPD04N50C3BTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
SPD04N50C3T International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2736
SPD04N60C2 INF CIs Calientes Especializados 2447
SPD04N60C3 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 68140
SPD04N60C3 IGBT Module Módulos IGBT 2811

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