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SI5511DC-T1-GE3
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SI5511DC-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 3.1W, 2.6W |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A, 3.6A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 15V |
FET Type | N and P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
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Las siguientes partes incluyen 'SI551'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI5511DC-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 9413 |
SI5511DC-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 6247 |
SI5511DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SI5511DC-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2612 |
SI5511DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SI5513CDC | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 2578 |
SI5513CDC-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2515 |
SI5513CDC-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2724 |
SI5513CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SI5513CDC-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 9228 |
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