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SI5511DC-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.1W, 2.6W
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A, 3.6A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI5511DC-T1-E3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.1nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Base Part Number SI5511
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI5511DC-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 6247
SI5511DC-T1-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI5511DC-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2723
SI5511DC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2612
SI5511DC-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI5513CDC VISHAY CIs Calientes Especializados 2578
SI5513CDC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2515
SI5513CDC-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2724
SI5513CDC-T1-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI5513CDC-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 9228

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