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NTGD4161PT1G Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 2.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 281pF @ 15V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-TSOP
Power - Max 600mW
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.1nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTGD4161PT1G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTGD4161PT1G Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
NTGD4167C AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 64655
NTGD4167CT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 15335
NTGD4167CT1G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTGD4167CT1G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3348
NTGD4167CT1G MOSFETIGBTIC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3236
NTGD4167PT1G ON CIs Calientes Especializados 6238
NTGD4169FT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18578
NTGD4169FT1G MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 18860

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