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NTGD4161PT1G Especificaciones técnicas
MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago) |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Number of Pins | 6 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2000 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | unknown |
Pin Count | 6 |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160m Ω @ 2.1A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 281pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Turn-Off Delay Time | 12.5 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -30V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 600mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Qualification Status | Not Qualified |
Element Configuration | Dual |
Power Dissipation | 1.1W |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A |
Rise Time | 9.2ns |
Fall Time (Typ) | 9.2 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -2.1A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 1.5A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 10A |
FET Feature | Logic Level Gate |
Lead Free | Lead Free |
NTGD4161PT1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTGD4161PT1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTGD4" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTGD4'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTGD4161PT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 28294 |
NTGD4161PT1G | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTGD4167C | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 64655 |
NTGD4167CT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 15335 |
NTGD4167CT1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTGD4167CT1G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3348 |
NTGD4167CT1G MOSFETIGBTIC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3236 |
NTGD4167PT1G | ON | CIs Calientes Especializados | 6238 |
NTGD4169FT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 18578 |
NTGD4169FT1G MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 18860 |
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